Mới đây, Samsung vừa công bố bộ nhớ 3D thế hệ mới, thúc đẩy tăng tốc AI. Tuy nhiên, đây là động thái ảnh hưởng xấu tới thị trường smartphone.
Samsung vừa công bố công nghệ bộ nhớ 3D mới nhất của mình tại sự kiện thường niên “Future of Memory and Storage” (Tương lai của Bộ nhớ và Lưu trữ) diễn ra ở Santa Clara.
Mặc dù các con chip mới rất ấn tượng nhưng đây lại là một tin không vui đối với thị trường smartphone.
Ra mắt kiến trúc bộ nhớ zHBM mới
Tại sự kiện, Samsung đã giới thiệu các mẫu ý tưởng bộ nhớ mới mang tên zHBM. Công nghệ này dựa trên nền tảng HBM – High Bandwidth Memory (Tạm dịch: bộ nhớ băng thông cao) và sử dụng cấu trúc các lớp 3D xếp chồng lên nhau. Tin không vui là loại bộ nhớ này chủ yếu được sử dụng trong các trung tâm dữ liệu và bộ tăng tốc AI cùng với một số lượng hạn chế các card đồ họa cao cấp.
Samsung ra mắt bộ nhớ zHBM mới.
Các mẫu zHBM giới thiệu một kiến trúc mới, bộ nhớ được đặt ngay phía trên bộ tăng tốc AI thay vì đặt bên cạnh, giúp tăng hiệu suất lên gấp tám lần. Theo Samsung, mật độ bộ nhớ cũng cao hơn tới 10 lần so với HBM5 nhờ công nghệ liên kết tấm bán dẫn (wafer bonding) mới, đồng thời hiệu suất hoạt động cũng được cải thiện gấp ba lần.
Đáng tiếc là kiến trúc bộ nhớ mới này được thiết kế cho các trung tâm dữ liệu AI nên chúng sẽ có trên các máy tính cá nhân (PC), GPU, máy chơi game console hay điện thoại thông minh trong tương lai gần là khá thấp.
Bộ nhớ lưu trữ SSD V-NAND mới
Samsung cũng giới thiệu loại bộ nhớ V-NAND mới dành cho ổ cứng thể rắn (SSD) dùng để lưu trữ dữ liệu. Con chip mới này có tên là V10 BV-NAND; ứng dụng công nghệ liên kết mới để mang lại mật độ bộ nhớ cao hơn tới 58% so với thế hệ V9 trước đó. Thành tựu này đạt được nhờ việc xếp chồng hơn 400 lớp ô nhớ lên nhau.
Bộ nhớ lưu trữ SSD V-NAND của Samsung.
Bên cạnh mẫu này, Samsung còn công bố một nguyên mẫu bộ nhớ cao cấp khác thuộc thế hệ mới. Chúng có tên là zNAND-O, sở hữu các ưu điểm như “hiệu quả sử dụng không gian cao, hiệu suất I/O được cải thiện và độ trễ thấp.” Công nghệ này cũng nhắm đến các edge AI nên sẽ không xuất hiện trên chiếc Galaxy S27 Ultra.
Bộ nhớ LPDDR mới có khả năng xử lý
Bộ nhớ LPDDR5X-PIM mới của Samsung là loại RAM có khả năng tự thực hiện một số tác vụ xử lý ngay bên trong. Thông thường, RAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên) được dùng để lưu trữ dữ liệu tạm thời, đóng vai trò như một bộ đệm giữa CPU (nơi thực hiện xử lý chính) và ổ lưu trữ dữ liệu (nơi lưu trữ lâu dài nhưng tốc độ truy xuất chậm hơn).
Bộ nhớ LPDDR5X-PIM mới.
Loại chip nhớ mới này có thể thực hiện các thao tác dữ liệu đơn giản ngay bên trong bộ nhớ thay vì chỉ lưu trữ thông thường, giúp cải thiện hiệu suất tổng thể thay vì tăng băng thông hay tốc độ. Đúng như dự đoán, các nguyên mẫu bộ nhớ tiên tiến này nhiều khả năng sẽ được trang bị cho các trung tâm dữ liệu quy mô lớn để phục vụ cho các hệ thống AI khổng lồ.
Cuộc khủng hoảng bộ nhớ toàn cầu ngày càng trầm trọng
Samsung là một trong những nhà cung cấp bộ nhớ lớn nhất thế giới (cùng với SK Hynix). Công ty Hàn Quốc này hiện đang gặp khó khăn trong việc đáp ứng nhu cầu về bộ nhớ, không chỉ cho các trung tâm dữ liệu mà còn cho nhiều lĩnh vực khác như điện thoại thông minh, máy tính cá nhân (PC) và máy chơi game console.
Các loại chip mới được công bố tập trung mạnh vào ứng dụng AI và nhiều khả năng sẽ được các trung tâm dữ liệu đặt hàng trước nhiều tháng. Điều này sẽ gây thêm áp lực lên thị trường điện thoại thông minh, đẩy giá thành lên cao và có thể khiến điện thoại trở nên đắt đỏ hơn, doanh số sụt giảm và thị trường bị đình trệ.
Đó là bởi Samsung sẽ phải dành nguồn lực và thời gian sản xuất cho các loại chip mới này, làm hạn chế thêm năng lực sản xuất các dòng chip cũ vốn đang được sử dụng phổ biến trong điện thoại thông minh hiện nay.
